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• 자기 저항 메모리, 磁氣抵抗-, Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM

  자기저항(magnetoresistance) 변화를 이용하는 비휘발성 고체 메모리. 자성층의 자화 방향을 이용하여 정보를 저장하는 것으로 0과 1의 정보는 자기 저항값의 차이를 이용하여 구분하며, 정보를 저장하기 위해서는 각 셀마다 서로 직교하는 2개의 배선에 전류를 흘려 이때 발생하는 자기장을 이용한다. 메모리...